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The structural evolution in amorphous silicon and germanium thin films has been investigated by high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) in conjunction with autocorrelation function (ACF) analysis. The results established that the structure of as-deposited semiconductor films is of a high density of nanocrystallites embedded in the amorphous matrix. In addition, from ACF analysis, the structure of a-Ge is more ordered than that of a-Si. The density of embedded nanocrystallites in amorphous films was found to diminish with annealing temperature first, then to increase. The conclusions also corroborate well with the results of diminished medium-range order in annealed amorphous films determined previously by a variable coherence microscopy method. 相似文献
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Hui-Wen Lin 《Transactions of the American Mathematical Society》2002,354(5):1861-1868
In this article, we find some diagonal hypersurfaces that admit crepant resolutions. We also give a criterion for unique factorization domains.
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采用石墨电阻加热的温梯法生长了V:YAG晶体,晶体的不同部位呈现两种不同的颜色:浅绿色和黄褐色.通过对比分析不同颜色V:YAG晶体的室温吸收光谱,推断出石墨发热体高温下扩散出来的C可以起到还原作用,提高晶体中V3+tetra离子的浓度,同时诱导了F心的形成.在1300℃下,对不同颜色的V:YAG晶体进行真空退火处理,发现处于八面体格位中的V3+离子在热激发作用下与近邻的四面体格位Al3+离子存在置换反应,由此产生一定浓度的四面体格位V3+离子.同时,F心在退火过程中被完全消除,释放出来的自由电子被高价态的V离子俘获,可以进一步提高晶体中四面体格位V3+离子的浓度. 相似文献
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利用国家同步辐射实验室合肥光源的真空紫外同步辐射,使NO分子和Ar原子混合物的超声分子束发生光电离,测量了Ar,NO和异类团簇Ar·NO的光电离效率谱. 在谱中,在与Ar原子的共振线对应的能量区域(11.5—12.0 eV)观察到一个强的类共振结构. 这个结果表明,在异类团簇Ar·NO的内部,稀有气体Ar原子的激发能转移到与它接触的分子NO上,使分子NO发生电离.
关键词:
Ar·NO团簇
同步辐射
光电离
能量转移 相似文献
100.
研究了不同比例的PVK与齐聚PPV衍生物DBVP掺杂体系的能量转移和发光特性.通过对PVK,DBVP及PVK:DBVP掺杂体系的UV-vis,PL和PLE光谱的研究,分析了PVK与DBVP之间的能量转移过程.利用PVK在体系中类似于溶剂的分散作用,制备了结构为ITO/PEDOT/PVK:DBVP/LiF/Al的电致发光器件,研究了掺杂体系的电致发光性能.结果表明,在掺杂体系的光致发光和电致发光中,PVK的发射被有效地抑制,PVK与DBVP之间发生了非常有效的能量转移,通过调节PVK与DBVP的比例,可以获得蓝色和绿色发光,同时可以改善器件的发光性能,当PVK与DBVP的重量比为1∶2时,器件的绿色发光效率达到1·06cd/A,此时发光亮度为52cd/m2. 相似文献